企业简介
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 main business:集成电路封装与系统集成的技术研发；半导体集成电路和系统集成产品的技术转让、技术服务及产品销售；利用自有资产对外投资；培训服务（不含发证、不含国家统一认可的职业证书类培训）；自营各类商品和技术的进出口业务（但国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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华进半导体封装先导技术研发中心有限公司的工商信息
- 320213000177901
- 913202130551581209
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2012年09月29日
- 曹立强
- 21100.000000
- 2012年09月29日 至 永久
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2017年07月18日
- 无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 集成电路封装与系统集成的技术研发；半导体集成电路和系统集成产品的技术转让、技术服务及产品销售；利用自有资产对外投资；培训服务（不含发证、不含国家统一认可的职业证书类培训）；自营各类商品和技术的进出口业务（但国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | www.ncap-cn.com |
| 网站 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | http://www.ncap-cn.com/ |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106252241A | 芯片封装侧壁焊盘或凸点的制作工艺 | 2016.12.21 | 本发明涉及一种芯片封装侧壁焊盘或凸点的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆上制作TSV孔， |
| 2 | CN103887251B | 扇出型晶圆级封装结构及制造工艺 | 2016.08.24 | 本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝上 |
| 3 | CN103787264B | 一种应用于高速宽带光互连的硅通孔器件的制造方法及其器件 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种应用于高速宽带光互连的硅通孔器件的制造方法及硅基光互连器件，本发明采用的是先刻蚀出宽 |
| 4 | CN106129027A | 生物识别封装结构与制作方法 | 2016.11.16 | 本发明涉及一种生物识别封装结构与制作方法，包括面板，面板的下表面具有色彩涂层；其特征是：在所述面板具 |
| 5 | CN106252318A | 植球工艺和结构 | 2016.12.21 | 本发明涉及一种植球工艺和结构，其特征是：包括上晶圆和下晶圆，上晶圆的下表面沉积上晶圆绝缘层，下晶圆上 |
| 6 | CN103280427B | 一种TSV正面端部互连工艺 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种TSV正面端部互连工艺，包括：采用刻蚀工艺在基底上制备若干TSV孔；在TSV孔内壁及 |
| 7 | CN103295893B | 一种晶圆级微组装工艺 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种晶圆级微组装工艺，包括以下步骤：S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合，形 |
| 8 | CN104037094B | 封装基板上凸点的制备方法 | 2016.09.21 | 本发明涉及一种封装基板上凸点的制备方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在基板上制作一根电镀引线； |
| 9 | CN103943614B | 集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法 | 2016.09.21 | 本发明涉及一种集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法，包括IPD芯片和扇出型封装体，扇出 |
| 10 | CN106024766A | 高堆叠晶圆系统级封装结构及制备方法 | 2016.10.12 | 本发明涉及一种高堆叠晶圆系统级封装结构及制备方法，其包括通过切割晶圆级芯片封装得到的第一封装结构，第 |
| 11 | CN103926430B | 一种硅通孔转接板测试方法 | 2016.09.21 | 本发明提供了一种硅通孔转接板测试方法，可以简单、方便地对硅通孔转接板进行电测试，有效地防止了测试中对 |
| 12 | CN105960099A | 低成本三层基板制造方法 | 2016.09.21 | 本发明提供一种低成本三层基板制造方法，包括下述步骤：提供一复合承载板；将两张中间层铜箔分别通过两张中 |
| 13 | CN105914181A | 一种再分布层的制备方法 | 2016.08.31 | 本发明涉及一种再分布层的制备方法，其包括如下步骤：a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体，所述晶圆器件 |
| 14 | CN103346097B | 基于TSV的三维封装方法和封装结构 | 2016.12.28 | 一种基于TSV的三维封装方法和封装结构，该封装方法和封装结构采取对晶圆和芯片进行至少二次塑封工艺，依 |
| 15 | CN103852376B | 一种用于硅通孔互连金属力学性能的测试方法 | 2016.12.21 | 本发明披露了一种用于硅通孔互连金属力学性能的测试方法，其属于微尺寸金属力学性能的测试方法，本测试方法 |
| 16 | CN106252242A | 一种封装基板及其制作方法 | 2016.12.21 | 本发明实施例公开了一种封装基板及其制作方法。该封装基板的制作方法包括：在带有金属层的载板上形成至少一 |
| 17 | CN102543917B | 集成电路散热装置 | 2016.12.14 | 公开了一种集成电路散热装置，包括设有输入口和输出口的微通道，所述微通道中设置阻挠体。本发明中，由于在 |
| 18 | CN106199860A | 用于多模并行光互连的光耦合集成结构 | 2016.12.07 | 本发明涉及一种用于多模并行光互连的光耦合集成结构，其包括光纤体以及载片；还包括与光纤体呈同轴分布的透 |
| 19 | CN106206423A | 芯片封装侧壁植球工艺 | 2016.12.07 | 本发明涉及一种芯片封装侧壁植球工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆上制RDL走线层和TSV孔， |
| 20 | CN103871907B | 一种超薄基板的制作工艺 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种基板的制作工艺，该制作工艺包括层压步骤、钻孔步骤、导通及线路制作步骤、多板压合步骤、 |
| 21 | CN104465611B | 实现PoP互连的阵列式焊球排布的封装结构及其制作方法 | 2017.04.12 | 本发明提供了一组实现PoP(Package on Package)互连的阵列式焊球排布的封装结构及其 |
| 22 | CN104174622B | 通用放置架 | 2017.04.12 | 本发明公开一种通用放置架，包括具有容纳空间的支架，所述支架的底部可调节设置有若干用于固定玻璃基板的下 |
| 23 | CN104009014B | 集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法 | 2017.04.12 | 本发明涉及一种集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法，包括晶圆级封装芯片和IPD芯片；所述IP |
| 24 | CN104134637B | 用于大功率逻辑芯片PoP封装的散热结构 | 2017.04.12 | 本发明涉及一种用于大功率逻辑芯片PoP封装的散热结构，在印刷线路板的上表面焊接有底部支撑球，在底部支 |
| 25 | CN103762183B | 扇出型方片级封装的制作工艺 | 2017.04.12 | 本发明提供一种扇出型方片级封装的制作工艺，包括：提供尺寸较大的矩形承载片，在承载片上贴覆粘结胶；芯片 |
| 26 | CN104409374B | 一种永久性晶圆键合互连方法 | 2017.03.22 | 本发明涉及一种永久性晶圆键合互连的方法。所要解决的技术问题是传统晶圆键合工艺中存在成本高、工艺步骤复 |
| 27 | CN104793298B | 一种带侧面焊盘的载板结构及其制作方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种带侧面焊盘的载板结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：1)刻蚀矩形槽；2)生长绝 |
| 28 | CN106531647A | 一种扇出型芯片的封装结构及其封装方法 | 2017.03.22 | 本发明实施例公开了一种扇出型芯片的封装结构及其封装方法，涉及芯片封装技术领域，其中，扇出型芯片的封装 |
| 29 | CN106531644A | 一种芯片的封装工艺和封装结构 | 2017.03.22 | 本发明提供了一种芯片的封装工艺和封装结构，涉及芯片封装领域。其中封装工艺包括：提供衬底；在衬底中形成 |
| 30 | CN106531711A | 一种芯片的板级封装结构及制作方法 | 2017.03.22 | 本发明提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法，其中封装结构包括：基板，基板上形成有至少两个容纳空间； |
| 31 | CN106531642A | 一种芯片封装结构及其制备方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，制备方法包括：提供一载板，在载板的上下表面制备双层剥离结构 |
| 32 | CN106501908A | 一种光电模块的制作方法 | 2017.03.15 | 本发明提供了一种光电模块的制作方法，包括：将光电收发单元固定到衬底基板上，所述光电收发单元包括激光器 |
| 33 | CN106488658A | 高密度基板半加成工艺种子层快速蚀刻装置及蚀刻方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种高密度基板半加成工艺种子层快速蚀刻装置及蚀刻方法，所述速蚀刻装置包括用于对待加工件进 |
| 34 | CN104183567B | 薄型封装基板及其制作工艺 | 2017.03.01 | 本发明涉及一种薄型封装基板的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在支撑板正反面固定铜箔层，铜箔层 |
| 35 | CN106449569A | 叠层芯片微流道散热结构和制备方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种叠层芯片微流道散热结构，包括芯片基板、组装在芯片基板上的叠层芯片，所述叠层芯片被内封装 |
| 36 | CN106443912A | 一种光互联模块 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种光互联模块，包括硅载板以及基板，基板的一端设置有扁位台阶，基板的顶面以及扁尾台阶的侧 |
| 37 | CN106449590A | 一种半导体存储模块及其制作方法 | 2017.02.22 | 本发明实施例公开了一种半导体存储模块及其制作方法，所述半导体存储模块包括自下而上依次堆叠的控制芯片组 |
| 38 | CN106449555A | 一种芯片的封装工艺和封装结构 | 2017.02.22 | 本发明提供了一种芯片的封装工艺和封装结构，涉及芯片封装领域。其工艺包括：提供衬底；在所述衬底中形成腔 |
| 39 | CN106455363A | 印刷线路板制作方法和印刷线路板 | 2017.02.22 | 本发明实施例提供了一种印刷线路板制作方法和印刷线路板，解决了现有印刷线路板制作方式所形成的基板通孔的 |
| 40 | CN103887231B | 用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺 | 2017.02.15 | 本发明提供一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺，包括下述步骤：提供已经完成TSV盲孔结 |
| 41 | CN106405754A | 一种光纤模组用的结构支架及其制作方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种光纤模组用的结构支架及其制作方法，所述结构支架包括键合在一起的至少两块晶圆，晶圆相对 |
| 42 | CN106409758A | 玻璃通孔金属化制作方法 | 2017.02.15 | 本发明提供一种玻璃通孔金属化制作方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一玻璃衬底，采用激光照射的方法，使 |
| 43 | CN106409732A | 一种利用UV实现晶圆与玻璃分离的方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种利用UV实现晶圆与玻璃分离的方法，具体包括以下步骤：在玻璃表面设置保护层；利用键合胶 |
| 44 | CN103943605B | 基于超薄玻璃的封装结构及方法 | 2017.02.15 | 本发明涉及一种基于超薄玻璃的封装结构及方法，其包括玻璃基板，在玻璃基板的第二表面的外圈设置拿持区，并 |
| 45 | CN103311189B | 一种柔性基板多层封装装置 | 2017.02.08 | 本发明提供了一种柔性基板多层封装装置，可以有效减小封装后柔性基板的整体体积，其技术方案是这样的：一种 |
| 46 | CN103728830B | 光阻墙结构模块化成型方法 | 2017.02.01 | 本发明针对具有规则阵列结构的光阻墙结构提出一种模块化成型方法，将光阻墙结构版图分割为若干个相同的单元 |
| 47 | CN103762205B | 兼容PCB工艺的多功能基板及其制作方法 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种兼容PCB工艺的多功能基板及其制作方法，包括多层互连基板、玻璃基板以及光波导层，玻璃 |
| 48 | CN103887279B | 三维扇出型晶圆级封装结构及制造工艺 | 2017.02.01 | 本发明涉及一种三维扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，其特征是：采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属 |
| 49 | CN106374208A | 高带宽有机基板天线结构和制作方法 | 2017.02.01 | 本发明提供一种高带宽有机基板天线结构及其制作方法，包括上层有机基板和下层有机基板；上层有机基板包括第 |
| 50 | CN104201166B | 一种TSV转接板及其制造工艺 | 2017.02.01 | 本发明涉及一种TSV转接板及其制造工艺，先在基板上进行植球工艺，形成凸点，然后将铜柱嵌入凸点中，形成 |
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